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集成電路產(chǎn)業(yè)在世界大環(huán)境中的現(xiàn)狀解析
時間:2011-07-08
當前,半導體技術日新月異。作為集成電路產(chǎn)業(yè)競爭制高點的CPU,主流產(chǎn)品工藝已從45納米向32納米過渡,并在近年內(nèi)將向22納米及其以下方向演進。2010年,CMOS技術已正式進入32納米的量產(chǎn)階段,而根據(jù)國際半導體技術發(fā)展路線圖預測,2012年將進入22納米。隨著特征尺寸的不斷減少,一些尖端的技術也將逐步實用化。
2010年,世界集成電路產(chǎn)業(yè)步入復蘇階段,上半年出現(xiàn)快速反彈,市場需求強勁,產(chǎn)品研發(fā)繼續(xù)。雖然下半年集成電路產(chǎn)業(yè)增速減緩,庫存有所增加,但2010年度市場總額仍創(chuàng)下歷史紀錄。
2010年,隨著全球經(jīng)濟的好轉以及市場需求的增長,半導體產(chǎn)業(yè)快速復蘇。2010年第一季度,全球半導體銷售額為699億美元,同比增長65.4%;第二季度繼續(xù)保持快速上漲勢頭,銷售額達748億美元,同比增長44.7%。雖然下半年增長速度明顯減緩,但增長趨勢一直保持到年末。
由于全球經(jīng)濟和電子產(chǎn)品市場繼續(xù)復蘇,2011年全球半導體市場仍將保持增長態(tài)勢。雖然這一數(shù)字與2010年超過30%的增長率無法相比,但由于衰退已經(jīng)結束,今后幾年全球半導體銷售將進入穩(wěn)步增長階段,增長速度平均為4%至6%。2014年市場總額將達到3600億美元左右。
數(shù)據(jù)顯示,2010年度世界半導體產(chǎn)業(yè)年度增長率達30%以上,是近10年來年度增長率最高的一年。2010年出現(xiàn)高速增長的原因,一方面在于各國促進經(jīng)濟發(fā)展政策初見成效,經(jīng)濟開始回暖;另一方面,在國際金融危機期間半導體產(chǎn)業(yè)積聚了大量上升的能量,在2010年出現(xiàn)了集中釋放。“2010年上半年快速反彈,下半年增速放緩實際上是市場自發(fā)的回調(diào),這也標志著全球半導體市場正在逐步企穩(wěn)。”
2010年,世界集成電路產(chǎn)業(yè)步入復蘇階段,上半年出現(xiàn)快速反彈,市場需求強勁,產(chǎn)品研發(fā)繼續(xù)。雖然下半年集成電路產(chǎn)業(yè)增速減緩,庫存有所增加,但2010年度市場總額仍創(chuàng)下歷史紀錄。
2010年,隨著全球經(jīng)濟的好轉以及市場需求的增長,半導體產(chǎn)業(yè)快速復蘇。2010年第一季度,全球半導體銷售額為699億美元,同比增長65.4%;第二季度繼續(xù)保持快速上漲勢頭,銷售額達748億美元,同比增長44.7%。雖然下半年增長速度明顯減緩,但增長趨勢一直保持到年末。
由于全球經(jīng)濟和電子產(chǎn)品市場繼續(xù)復蘇,2011年全球半導體市場仍將保持增長態(tài)勢。雖然這一數(shù)字與2010年超過30%的增長率無法相比,但由于衰退已經(jīng)結束,今后幾年全球半導體銷售將進入穩(wěn)步增長階段,增長速度平均為4%至6%。2014年市場總額將達到3600億美元左右。
數(shù)據(jù)顯示,2010年度世界半導體產(chǎn)業(yè)年度增長率達30%以上,是近10年來年度增長率最高的一年。2010年出現(xiàn)高速增長的原因,一方面在于各國促進經(jīng)濟發(fā)展政策初見成效,經(jīng)濟開始回暖;另一方面,在國際金融危機期間半導體產(chǎn)業(yè)積聚了大量上升的能量,在2010年出現(xiàn)了集中釋放。“2010年上半年快速反彈,下半年增速放緩實際上是市場自發(fā)的回調(diào),這也標志著全球半導體市場正在逐步企穩(wěn)。”
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